Технологии
Самая быстрая память в мире записывает данные в 10 000 раз быстрее, чем современные технологии
Китайские ученые из Университета Фудань разработали PoX — самую быструю энергонезависимую флэш-память в истории.
Она способна записывать один бит за 400 пикосекунд, что эквивалентно 25 миллиардам операций в секунду. Это на порядки быстрее, чем обычная флэш-память, и даже быстрее некоторых типов оперативной памяти, которая теряет данные при отключении питания.
Технологический прорыв достигнут за счет замены кремниевых каналов в ячейке памяти на двумерный графен. Благодаря точной настройке так называемой “гауссовой длины” канала, исследователи достигли эффекта двумерной суперинжекции — крайне эффективной зарядовой инжекции в слой хранения, минуя классические ограничения по скорости.
Дополнительно применялась оптимизация архитектуры при помощи ИИ, что позволило приблизиться к теоретическому пределу скорости записи энергонезависимой памяти. Устройство не требует питания для хранения информации, что делает его особенно перспективным для применения в энергоограниченных системах, например, периферийных ИИ-устройствах и мобильной технике.
В будущем PoX может полностью заменить SRAM-кэш в ИИ-чипах, существенно уменьшив их энергопотребление и физические размеры. Это также может позволить мгновенное включение ноутбуков и смартфонов, а базы данных смогут хранить рабочие данные напрямую в постоянной памяти, без необходимости загрузки. Сейчас исследователи занимаются масштабированием технологии и подготовкой демонстрации на уровне массивов памяти.
Источник: interestingengineering.com
